CGHV96100F2 (Package Type — 440217)

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CGHV96100F2 (Package Type — 440217)
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CGHV96100F2
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规格
供应商零件编号: CGHV96100F2
名称:CGHV96100F2 (Package Type — 440217)
说明:CGHV96100F2 100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT Cree’s CGHV96100F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to GaAs transistors. This IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.
供应商零件编号:CGHV96100F2
    
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Hossein Yousefi

成为用户的时间： 2013/6/27
标题: Designer
 
技能:
Electro/Mechanical PCB Designer
兴趣:
Engineering,Music,Pottery
 
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